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R6515KNX3C16

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755-R6515KNX3C16

R6515KNX3C16

メーカ:

詳細:
MOSFET 650V 15A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

ライフサイクル:
新製品: このメーカーの新製品
ECADモデル:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
1 ¥535.1 ¥535
10 ¥482.9 ¥4,829
50 ¥455.3 ¥22,765
100 ¥394.4 ¥39,440
500 ¥335 ¥167,500
1,000 ¥282.8 ¥282,800
2,500 ¥265.4 ¥663,500
5,000 ¥256.7 ¥1,283,500
製品属性 属性値
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  詳細
Si
Through Hole
TO-220AB-3
N-Channel
1 Channel
650 V
15 A
315 mOhms
- 20 V, + 20 V
5 V
27.5 nC
- 55 C
+ 150 C
161 W
Enhancement
Tube
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
下降時間: 20 ns
製品タイプ: MOSFET
上昇時間: 35 ns
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: MOSFETs
標準電源切断遅延時間: 50 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 25 ns

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

R60xx PrestoMOS™高電圧MOSFET

ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS™高電圧MOSFETには、600Vを実現しながらボードスペースの最適化を目的とした高速リカバリダイオードが組み込まれており、5つのパッケージ・タイプがあります。これらの第3世代の金属酸化物半導体電界効果トランジスタは、統合インバータが搭載されている電源に最適です。このデバイスの高速スイッチングには、内部ダイオードと高逆回復時間(trr)特性が組み合わされており、小型設計に貢献しながら効率の最適化と損失の低減を実現します。

画像 説明
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