SCS206AGC17

ROHM Semiconductor
755-SCS206AGC17

SCS206AGC17

メーカ：

詳細：
ショットキーダイオードおよび整流器 SILICON CARBIDE

ライフサイクル:
新製品: このメーカーの新製品

データシート:

ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示
ROHM Semiconductor SCS206AGC17の詳細を読む

在庫: 1,837

在庫：

1,837
すぐに出荷可能

取寄中:

1,000
予想14-2-24

工場リードタイム：

39
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
この製品はリードタイムが長いと報告されています。
 
最小: 1   倍数: 1

¥-
¥-

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥593.6 ¥594
¥498.8 ¥4,988
¥402.4 ¥40,240
¥394.7 ¥98,675
¥358 ¥179,000
¥289.2 ¥289,200
¥287.6 ¥719,000
¥276.9 ¥1,384,500
製品属性 属性値
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: ショットキーダイオードおよび整流器
RoHS:  詳細
Schottky Silicon Carbide Diodes
Through Hole
TO-220ACG-2
Single
SiC
6 A
650 V
1.35 V
23 A
1.2 uA
+ 175 C
Tube
ブランド: ROHM Semiconductor
Pd - 電力損失: 51 W
製品タイプ: Schottky Diodes & Rectifiers
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）: 650 VDC
別の部品番号: SCS206AG

データシート

Specification Sheets

すべて表示
省略して表示
この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス

ROHM Semiconductorシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスは、シリコン（Si）とカーボン（C）で構成されています。 シリコンパワーデバイスと比較して、SiCパワーデバイスには、10倍の絶縁破壊電界強度、3倍のバンドギャップ、3倍の熱導電性があります。 SiCパワーデバイスは、スイッチング損失も低く、ON抵抗も低くなり、温度が高くとも動作できる性能を持っています。 これらの特徴によって、電力損失が低くなり、モジュールサイズが小さくなりました。 また、設計者が使用する部品数も少なくなり、設計の複雑性をさらに削減できます。
詳細

TO-220ACG SiCショットキーバリアダイオード

ROHM Semiconductor TO-220ACGシリコンカーバイド（SiC）ショットキーバリアダイオード（SBD）は、650V～1200Vの逆方向電圧範囲および1.2µA～20.0µAの連続逆方向電流範囲が特徴です。また、SiCテクノロジーの活用によって低静電容量性電荷（QCを維持できるため、高速スイッチング動作に対応しながらスイッチング損失の低減を実現します。さらに、温度の上昇とともに逆方向回復に要する時間（リカバリ時間）も長くなるSiバンド高速リカバリダイオードとは異なり、SiCは一貫した特性を維持するため良好な性能をもたらします。

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。

画像 説明
Murata LBUA0VG2BP-EVK-P
マルチプロトコル開発ツール Type 2BP NXP SR150 UWB MODULE EVALUATION KIT
Wurth Elektronik 78439369056
パワーインダクタ - SMD WE-XHMA 1090 5.6uH 11.5A 5.9mOhms AEC-Q200
Infineon ISC230N10NM6ATMA1
MOSFET
ROHM Semiconductor SCS208AGC17
ショットキーダイオードおよび整流器 SILICON CARBIDE
Wurth Elektronik 78439358022
パワーインダクタ - SMD WE-XHMA 8080 2.2uH 13A 3.7mOhms AEC-Q200
Vishay K104K15X7RF5UL2
積層セラミックコンデンサ MLCC - リード付 K 50V 100NF +/- 10 % X7R AMMO E3
Vishay MAL215236478E3
アルミ電解コンデンサ - ラジアルリード 400V 22uF 20%
Texas Instruments LM285BYZ-2.5/NOPB
電圧基準 2.5-V, 40 C to +85 C, micropower voltage reference diode 3-TO-92 -40 to 85
onsemi MBR1545CTG
ショットキーダイオードおよび整流器 15A 45V
Cornell Dubilier CD15ED500FO3F
マイカコンデンサ 50pF 500V 1%

クイック表示

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ ヘルプ・センターを訪れてください。
特定のご注文に関するご質問は、あなたのアカウントにログインしてください。

さらにトラブルが発生した場合、800-346-6873または電子メールhelp@mouser.comで弊社にお問い合わせください。