SCS220AE2GC11

ROHM Semiconductor
755-SCS220AE2GC11

SCS220AE2GC11

メーカ：

詳細：
ショットキーダイオードおよび整流器 650V, 20A, 3-pin THD, Silicon-carbide (SiC) SBD

データシート:

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¥1,383.1 ¥1,383
¥1,185.8 ¥11,858
¥986.9 ¥118,428
¥872.1 ¥235,467
製品属性 属性値
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: ショットキーダイオードおよび整流器
RoHS:  詳細
Schottky Silicon Carbide Diodes
Through Hole
TO-247N-3
Single
SiC
20 A
650 V
1.55 V
300 A
200 uA
+ 175 C
Tube
ブランド: ROHM Semiconductor
Pd - 電力損失: 160 W
製品タイプ: Schottky Diodes & Rectifiers
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）: 650 V
別の部品番号: SCS220AE2

データシート

Specification Sheets

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USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。

SiCショットキーバリアダイオード

ROHM Semiconductor® SiC（シリコンカーバイド）ショットキーバリアダイオードは、スイッチング損失を低減する低総容量（Qc）を備え、高速スイッチング動作を可能にします。さらに、温度とともにTRRが増加するシリコンベースの高速リカバリダイオードとは異なり、SiCデバイスは一定の特性を維持し、より優れた性能をもたらします。これによって、本製品はEVおよびソーラーパワーコンディショナ用インバータや充電器をはじめとする、さまざまなアプリケーションでの主要デバイスとして使用するのに最適です。

画像 説明
Vishay SI2328DS-T1-BE3
MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S)
Nexperia PMEG6002EJ,115
ショットキーダイオードおよび整流器 PMEG6002EJ/SOD323F/SOD323F
Vishay WSL2512R0120FEA18
電流検出抵抗器 - SMD 2watts .012ohm 1%
Vishay AY2332M41Y5US63L7
安全コンデンサ 3300pF 20%X1:440VAC Y2:300VAC Automotive
Samsung Electro-Mechanics CL10A474KB8NNNC
積層セラミックコンデンサ MLCC - SMD/SMT 470nF+/-10% 50V X5R 0603
KEMET T495D107K010ATE100
タンタル キャパシタ - 固体 SMD 10V 100uF 2917 10% ESR=100mOhms
Comchip Technology GBU2510-G
ブリッジ整流器 GBU GPP 25A 1000V Rect. Bridge Diode
KYOCERA AVX TAJA335K016RNJ
タンタル キャパシタ - 固体 SMD 16V 3.3uF 10% 1206 ESR= 5 Ohm
TE Connectivity RT314012
汎用リレー PCB Miniature 12VDC 16A 1FormCContact
Vishay ILHB1812ER121V
フェライトビーズ 120ohms 25%

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