MT46V64M8P-5B:J

Micron
340-122948-TRAY
MT46V64M8P-5B:J

メーカ：

詳細：
DRAM DDR 512Mbit 8 66/66TSOP 1 CT

ライフサイクル:
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データシート:
ECADモデル:
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在庫: 720

在庫：
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720を超える数量には、最低発注量条件が適用されます。
この製品はリードタイムが長いと報告されています。
最小: 1   倍数: 1   最大： 720
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,251.2 ¥1,251
¥1,164.8 ¥11,648
¥1,131.2 ¥28,280
¥1,104 ¥55,200
¥1,078.4 ¥107,840
¥1,049.6 ¥262,400
¥995.2 ¥497,600

製品属性 属性値 属性の選択
Micron Technology
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR
512 Mbit
8 bit
200 MHz
TSOP-66
64 M x 8
700 ps
2.5 V
2.7 V
0 C
+ 70 C
MT46V
Tray
ブランド: Micron
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 1080
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
供給電流 - 最大: 85 mA
単位重量: 9.140 g
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選択した属性: 0 

                        
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データシート

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CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR SDRAM

Micron DDR SDRAMは、画期的かつ先駆的な技術で、アプリケーションがクロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジでデータを転送できるようになります。これによって、帯域幅が2倍になり、SDR SDRAMに比べて性能が向上します。この機能を達成するためにMicronは、2n-プリフェッチ・アーキテクチャを採用しています。これは、内部データバスは外部データバス2倍サイズで、データ・キャプチャは各クロック・サイクルで2回発生させることができます。

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