CoolSiC™1400VSiC G2 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 1400V シリコンカーバイド (SiC) G2 MOSFETは、TO-247PLUS-4リフローパッケージで提供されます。これらのInfineon MOSFETは、EV充電、バッテリーエネルギー貯蔵システム (BESS)、商用車/建設機械/農業車両 (CAV)、その他の高出力電力アプリケーションに最適です。CoolSiC™ MOSFET G2 1400V技術は、熱性能の改善、電力密度の向上、さらに高い信頼性を実現した最先端の技術です。このパッケージは、リフロー対応能力(3xリフローはんだ付けが可能)が特長で、熱抵抗を低減します。

結果: 10
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package 225在庫
最低: 1
複数: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package 209在庫
最低: 1
複数: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 207在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 238在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 224在庫
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 11在庫
240予想2026/04/23
最低: 1
複数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
240予想2026/03/26
最低: 1
複数: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
224予想2026/02/19
最低: 1
複数: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
240予想2026/02/19
最低: 1
複数: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
240予想2026/02/19
最低: 1
複数: 1

CoolSiC