4 Gbit メモリ IC

メモリ ICのタイプ

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結果: 312
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品 製品タイプ 取り付け様式 パッケージ/ケース メモリ サイズ インタフェース タイプ
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,090
複数: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,090
複数: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,420
複数: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 36 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 36 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 136
複数: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 136
複数: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 36 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 在庫なし
最低: 2,500
複数: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI NAND Flash 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
ISSI NAND Flash 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
ISSI NAND Flash 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R, , AutoGrade 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel
ISSI NAND Flash 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R, AutoGrade 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel

ISSI NAND Flash 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI
ISSI NAND Flash 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 36 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 36 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 非在庫リードタイム 36 週間
最低: 136
複数: 136

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 36 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS 非在庫リードタイム 36 週間
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 36 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit