Diodes Inc. AP64100Qの設計は、電磁妨害(EMI)の低減を目的に最適化されています。デバイスには独自のゲートドライバスキームがあり、MOSFET電源ONおよび電源OFF時間を犠牲にすることなくスイッチングノードのリンギングに抵抗できます。これによって、MOSFETスイッチングに起因する高周波放射EMIノイズが減少します。AP64100Qは、スイッチング周波数ジッタが±6%の周波数拡散スペクトル(FSS)も特徴で、放出されたエネルギーが長時間にわたって特定の周波数に留まらないようにすることによってEMIを低減します。
特徴
- 車載アプリケーションを対象としたAEC-Q100認定
- -40°C~+125°C TA範囲のデバイス温度Grade 1
- 3.8V~40V VIN
- 0.8V~VIN出力電圧(VOUT)
- 連続出力電流:1A
- 0.8V ±1%基準電圧
- 25µA小自己消費電流(パルス周波数変調)
- 100kHz~2.2MHzの間でスイッチング周波数を調整可能
- 100kHz~2.2MHz外部クロック同期
- 5mA軽負荷で最高88%までの効率性
- EMI低減を目的とした独自のゲートドライバ設計
- 周波数スペクトラム拡散(FSS)でEMIを軽減
- 低ドロップアウト (LDO) モード
- UVLOを調整する高精度イネーブル閾値
- 保護回路
- 低電圧ロックアウト(UVLO)機能
- 出力過電圧保護(OVP)
- サイクル毎のピーク電流制限
- 熱シャットダウン
- リードフリー、RoHS準拠
- ハロゲンおよびアンチモンフリー「グリーン」デバイス
アプリケーション
- 車載用パワーシステム
- 車載用インフォテイメント
- 自動車計器クラスタ
- 車載用テレマティクス
- 車載照明制御
- 先進運転支援システム(ADAS)
機能ブロック図

公開: 2021-10-01
| 更新済み: 2022-03-11