Diodes Incorporated DMN3012LEG MOSFET
Diodes Incorporated のDMN3012LEG MOSFETは、30Vの同期Nチャンネルエンハンスメントモード MOSFETで、低いオン抵抗と高速スイッチング速度を備えています。このRoHS対応のMOSFETは、低い入力容量 と高い信頼性 を備えており、100%の非クランプ誘導スイッチ(UIS) 耐久性が生産中にテストされています。DMN3012LEG MOSFETは、ラテラル拡散MOS(LDMOS)設計を特徴としており、電力損失を最小限に抑え、高い電力密度、高効率、高周波性能に最適化されています。このMOSFETは、DC-DCコンバータや高効率な電源管理アプリケーションに最適です。特徴
- 生産環境での100%アンクランプ誘導スイッチ(UIS)テスト
- 低オン抵抗
- 低入力容量
- 高速スイッチング速度
- 無鉛仕上げ
- 95%ピーク電力効率
- 軽負荷時の性能が向上
- システム温度が低下
- 信頼性が向上
- RoHS準拠
仕様
- 12mΩドレイン-ソース間抵抗
- 動作温度範囲: -55°C~150°C
- 2.2W電力散逸
アプリケーション
- DC/DCコンバータ
- 電力管理機能
- 5Vゲート駆動アプリケーション用に最適化済
回路図
性能ベンチマーク図
公開: 2020-06-08
| 更新済み: 2024-08-01
