Diodes Incorporated DMN3012LEG MOSFET

Diodes Incorporated のDMN3012LEG MOSFETは、30Vの同期Nチャンネルエンハンスメントモード MOSFETで、低いオン抵抗と高速スイッチング速度を備えています。このRoHS対応のMOSFETは、低い入力容量 と高い信頼性 を備えており、100%の非クランプ誘導スイッチ(UIS) 耐久性が生産中にテストされています。DMN3012LEG MOSFETは、ラテラル拡散MOS(LDMOS)設計を特徴としており、電力損失を最小限に抑え、高い電力密度、高効率、高周波性能に最適化されています。このMOSFETは、DC-DCコンバータや高効率な電源管理アプリケーションに最適です。

特徴

  • 生産環境での100%アンクランプ誘導スイッチ(UIS)テスト
  • 低オン抵抗
  • 低入力容量
  • 高速スイッチング速度
  • 無鉛仕上げ
  • 95%ピーク電力効率
  • 軽負荷時の性能が向上
  • システム温度が低下
  • 信頼性が向上
  • RoHS準拠

仕様

  • 12mΩドレイン-ソース間抵抗
  • 動作温度範囲: -55°C~150°C
  • 2.2W電力散逸

アプリケーション

  • DC/DCコンバータ
  • 電力管理機能
  • 5Vゲート駆動アプリケーション用に最適化済

回路図

アプリケーション回路図 - Diodes Incorporated DMN3012LEG MOSFET

性能ベンチマーク図

パフォーマンスグラフ - Diodes Incorporated DMN3012LEG MOSFET
公開: 2020-06-08 | 更新済み: 2024-08-01