Infineon Technologies 1200V 3レベルIGBTモジュール
Infineon Technologies 1200V 3レベルIGBTモジュールは、設計柔軟性を制限することなく電気的性能および高い信頼性を発揮します。IGBTモジュールは、わずか数百ワット～数メガワットまでの範囲をカバーしています。1200V IGBTモジュールは、3レベルアプリケーションを対象に設計されています。
1200V IGBTモジュールは、パワーエレクトロニクス・アプリケーションの再現性のある熱性能のために事前に適用された熱インターフェイス素材（TIM）が特徴です。さらに、IGBTを使用すると、PressFITピンを使用してはんだレス取付またはリードフリー取付の方法でパワーモジュールを取り付けることができます。
特徴
- 拡張動作温度Tvjop
- 低スイッチング損失
- 低VCEsat
- 無敵の堅牢性
- Tvjop=150°C
- 正温度係数を持つVCEsat
- 絶縁型ベースプレート
- スタンダードの筐体
- 事前に適用された熱インターフェイス素材
公開: 2021-10-22
| 更新済み: 2022-03-11