Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFETは、使い勝手の良さに優れたベストインクラスの価格/性能比を実現しており、さまざまなアプリケーションの課題に対処できます。700Vおよび800V CoolMOS P7パワーMOSFETは、アダプタや充電器、照明、オーディオ用スイッチング電源、補助電源、産業用電源など、フライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション用に開発されました。600V CoolMOS P7パワーMOSFETは、低消費電力だけでなくソーラーインバータ、サーバ、テレコム、EV充電スタンドといったハイパワーSMPSアプリケーションをターゲットにしています。P7 MOSFETは、ハードスイッチングとソフトスイッチング・トポロジ向けに完全に最適化されています。

特徴

120V to 950V drain-source breakdown voltage
24mΩ to 4.5Ω R_DS(ON) drain-source resistance

1.5A to 101A continuous drain current
0.5W to 291W power dissipation

600V CoolMOS P7 MOSFET

Infineon 600V CoolMOS P7 MOSFETは第7世代デバイスで、高電圧パワーMOSFET向けの革命的な技術が活用されています。このトランジスタは、スーパージャンクション（SJ）の原理に従って設計され、Infineon Technologiesによって開発されています。600V CoolMOS P7には、高速スイッチングSJ MOSFETのメリットと、優れた使い勝手が組み合わされています。600V P7は、非常に低いリンギング傾向、硬質転流に対するボディダイオードの優れた堅牢性と優れたESD性能が特徴です。スイッチング損失と導通損失が極端に低いため、スイッチングアプリケーションの効率、コンパクト、軽量、低冷却性がさらに向上します。

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700V CoolMOS P7 MOSFET

Infineon Technologies 700V CoolMOS™ P7 MOSFETは、高電圧パワーMOSFETのための画期的な技術が特徴です。この700Vは、スーパージャンクション（SJ）の原理に従って設計され、Infineonによって開発されています。最新の700V CoolMOS P7は、充電器、アダプタ、照明、TVその他といった消費者市場におけるコスト重視のアプリケーションをターゲットにカスタマイズされた最適化プラットフォームです。

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800V CoolMOS P7 MOSFET

Infineon 800V CoolMOS P7 MOSFETには、使い勝手の良いベストインクラスの性能が組み合わされています。P7は、800Vスーパージャンクション技術での新たなベンチマークを設定します。このトランジスタには、最大0.6パーセントの効率性ゲインおよび2°C～8°Cと、更に低くなったMOSFET温度が備わっています。

このトランジスタは、EossやQgの50%以上の削減などの最適化されたデバイスパラメータが特徴で、CissとCossを削減します。CoolMOS P7は、より低いスイッチング損失およびより良いDPAK RDS(on)を通して、より高い電力密度設計も可能です。CoolMOS P7は、低消費電力SMPSアプリケーションに最適です。

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950V CoolMOS™ P7 SJ MOSFET

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ P7 SJ MOSFETには、950Vスーパージャンクション技術を採用し、最先端の使いやすさにクラス最高級の性能を組み合わせています。これらのMOSFETには、統合ツェナーダイオード静電気放電（ESD）保護が装備されています。この統合ダイオードは、ESD関連の歩留まり損失を低減させるESD堅牢性を向上させ、比類のないレベルの使いやすさを実現しています。これらのMOSFETには、3V VGS(th) とわずか±0.5Vの狭公差が備わっており、駆動や設計への組み込みが簡単です。950V SJ MOSFETは、BOMと組立コストを削減しながら、さらなる高密度が可能な低DPAK RDS(on)を実現しています。

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