Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETには、シリコンカーバイドの強力な物理特性、およびデバイスの性能、堅牢性、使いやすさを向上させる独自の機能が組み合わされています。CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETは、最先端のTrench半導体プロセスで構築されており、アプリケーションでの 最低レベルの損失 と 動作での最高レベルの信頼性の両方を発揮できるように最適化されています。高温および過酷環境での動作に適しており、これらのデバイスを使用するとシンプルで費用対効果の高い最高レベルのシステム効率の展開が可能になります。