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Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 60V車載OptiMOS™-5 MOSFET

Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 60V車載OptiMOS™-5 MOSFETは、ドレイン-ソース間オン状態抵抗が小さいこと、ゲート電荷が低いこと、ゲート静電容量が小さいことが特徴で、導通損失とスイッチング損失を最小限に抑えます。また、これらのMOSFETはNチャンネル拡張モードになっており、極めて低い22.7nC～23.0nC逆回復電荷が特徴です。

Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 OptiMOS-5 MOSFETは、車載アプリケーションを対象としたAEC-Q101認定を取得済です。5.0mΩ IAUZ40N06S5は、3mm x 3mm S3O8（PG-TSDSON-8）パッケージで販売されています。10.2mΩ IAUC41N06S5は、5mm x 6mmシングルSS08（PG-TDSON-8）パッケージで販売されています。

特徴

  • OptiMOSパワーMOSFET（車載アプリケーション用）
  • Nチャンネル、拡張モード、論理レベルのデバイス
  • AEC-Q101を凌ぐ拡張認定
  • 優れた電気試験実施
  • 堅牢な設計
  • MSL1最高260°Cピークリフロー
  • 175°C最高動作温度
  • グリーン製品（RoHS準拠）
  • 100%アバランシェ試験を実施済

アプリケーション

  • 一般的な車載アプリケーション
  • DC/DC
  • LED照明
  • ワイヤレス充電
  • ADAS
  • CAV（24V）アプリケーション

仕様

  • 60Vドレイン-ソース間破壊電圧（V(BR)DSS）
  • ドレイン-ソース間オン状態抵抗（RDS(on)）
    • IAUZ40N06S5: 5.0mΩ
    • IAUC41N06S5: 10.2mΩ
  • 連続ドレイン電流（ID）
    • IAUZ40N06S5: 90A
    • IAUC41N06S5: 47A
  • ゲートソース電圧（VGS）
    • IAUZ40N06S5: ±16V
    • IAUC41N06S5: ±20V
  • 消費電力
    • IAUZ40N06S5: 71W
    • IAUC41N06S5: 42W
  • 逆回復電荷（Qrr）
    • IAUZ40N06S5: 23nC
    • IAUC41N06S5: 22.7nC
  • パッケージオプション
    • IAUZ40N06S5: 3mm x 3mm S3O8 (PG-TSDSON-8)
    • IAUC41N06S5：5mm x 6mmシングルSS08（PG-TDSON-8）

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公開: 2021-11-23 | 更新済み: 2022-03-11