Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100VパワーMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100VパワーMOSFETは、SuperSO8およびPQFN 3.3 x 3.3パッケージに収められて販売されていると同時に、損失が電荷(スイッチング)とオン状態抵抗(伝導)に関連しているテレコムやソーラーといった高スイッチング-高周波アプリケーション向けに最適化されています。さらに、当該クラスで最高のRDS(on)およびさらに広い安全動作領域(SOA)のおかげで、バッテリ駆動アプリケーション(BPA)およびバッテリマネジメントシステムに最適です。

Infineonの代表的な薄型ウェハは、OptiMOS™ 5技術に比べて大幅な性能向上を実現できます。下記の特徴をご参照ください。

特徴

  • 旧世代 / OptiMOS™ 5技術との比較:
    • RDS(on)が18%低い、より広いSOA
    • 効率性の向上を目的に大幅に改善されたFOM:
      • FOM Qg x RDS(on) = -29%
      • FOM Qgd x RDS(on) = -42%
    • より低くソフトな逆方向回復電荷(Qrr
  • (ソーラー、テレコムなどの)高周波アプリケーション向けに最適化済
  • さらに簡単な熱設計とより少ない並列化のおかげでシステムコストを削減
  • J-STD-020に準じたMSL 1分類
  • (ソーラー、テレコムなどの)高スイッチング-高周波アプリケーションの有益な価格/性能比
  • 伝導損失が小さい
  • スイッチング損失が低い
  • 高速ターンオン・オフ
  • RoHS準拠、リードフリー

アプリケーション

  • SMPS(テレコム、サーバー、チャージャー/アダプタ、TV電源など)
  • ソーラー
  • バッテリマネジメントシステム(BMS)
  • バッテリ駆動アプリケーション(電力ツール、ドローン / マルチコプタ、ロボティクス)
  • モーター制御

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インフォグラフィック - Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100VパワーMOSFET
公開: 2021-11-30 | 更新済み: 2022-03-11