ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650V EモードGaN FET
ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™650V Eモード窒化ガリウム（GaN）FETは、電力変換の効率性とサイズ縮小のために、低オン抵抗と高速スイッチングを活用しています。信頼性の高いGNP1 FETによって、内蔵ESD保護と優れた熱放散が実現し、取り付けが容易になっています。アプリケーションには、高スイッチング周波数、および高密度コンバータなどがあります。
特徴
- 650V EモードGaN FET
- 低オン抵抗
- 高速スイッチング
- 内蔵ESD保護
- 信頼性の高い設計
- 電力変換の効率性とサイズ縮小に貢献
- 優れた放熱性
- RoHS準拠
アプリケーション
- 高スイッチング周波数コンバータ
- 高密度コンバータ
仕様
- GNP1070TC-Z
- DFN8080Kパッケージスタイル
- 連続ドレイン電流範囲：7.3A～20A
- パルスドレイン電流範囲：24A～66A
- ドレイン-ソース間電圧： 650V
- 過渡ドレイン-ソース間電圧：750V
- ゲート-ソース間電圧 -10VDC ～+6VDC
- 過渡ゲート-ソース間電圧：8.5V
- 電力損失：56W（+25°Cで）
- ゲート入力抵抗：0.86Ω（標準）
- 入力容量：200pF（標準）
- 出力容量：50pF（標準）
- 出力電荷：44nC
- 標準総ゲート電荷 5.2nC
- 標準ターンオン遅延時間5.9ns
- 標準立ち上がり時間6.9ns
- 標準ターンオフ遅延時間8.0ns
- 標準立ち下がり時間8.7ns
- GNP1150TCA-Z
- DFN8080AKパッケージスタイル
- 連続ドレイン電流範囲：5A～11A
- パルスドレイン電流範囲：17A～35A
- ドレイン-ソース間電圧 ：650V
- 過渡ドレイン-ソース間電圧：750V
- ゲート-ソース間電圧 -10VDC ～+6VDC
- 過渡ゲート-ソース間電圧：8.5V
- 電力損失：62.5W（+25°Cで）
- ゲート入力抵抗：2.6Ω（標準）
- 入力容量：112pF（標準）
- 出力容量：19pF（標準）
- 出力電荷：18.5nC
- 標準総ゲート電荷2.7nC
- 標準ターンオン遅延時間4.7ns
- 標準立ち上がり時間5.3ns
- 標準ターンオフ遅延時間6.2ns
- 標準立ち下がり時間8.3ns
その他のリソース
ビデオ
公開: 2023-05-16
| 更新済み: 2023-08-31