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IPW60R017C7XKSA1

Name: Infineon IPW60R017C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW60R017C7XKSA1
Price: 2892 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

726-IPW60R017C7XKSA1

メーカ番号：

IPW60R017C7XKSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET HIGH POWER_NEW

データシート:

IPW60R017C7XKSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 1,702

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	¥1,771.2	¥44,280
	¥1,630.4	¥163,040
	¥1,628.8	¥390,912

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	600 V
Id - 連続ドレイン電流:	109 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	17 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	240 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	446 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	CoolMOS
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	4 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	25 ns
シリーズ:	CoolMOS C7
工場パックの数量:	240
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	106 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	30 ns
別の部品番号:	IPW60R017C7 SP001313542
単位重量:	6 g

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データシート

IPW60R017C7XKSA1 データシート (PDF)

Application Notes

Other

Packaging:PG-TO247-3-41 | IPW60R017C7XKSA1 (PDF)

Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model CoolMOS™ Power MOSFET PSpice 600V C7 (Zip)

Technical Resources

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JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CoolMOS™7スーパージャンクションMOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 スーパージャンクションMOSFETは、エネルギー効率、電力密度、使いやすさのための新基準を設定します。CoolMOS 7技術は、特定のアプリケーション向けに最適化されており、革新的なパッケージ概念とさまざまな技術が搭載されています。CoolMOS 7 MOSFETは、電気自動車の充電ステーションを、より高い出力でさらなる小型化を実現し、自動車充電の高速化を図る際に適しています。CoolMOS 7のおかげで、新世代のアダプタと充電器は、さらなる小型化、軽量、効率性を実現しています。CoolMOS 7を使用するとエンジニアは、再生可能エネルギーシステムを安価で効率的にできます。

CoolMOS™ C7 Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ C7 Power MOSFETs are a revolutionary step forward in technology, providing low R_DS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range. The C7 is optimized for hard switching topologies such as Power Factor Correction (CCM PFC), Two Transistor Forward (TTF) and Solar Boost in applications such as Solar, Server, Telecom and UPS. The 650V breakdown voltage makes it suitable for Solar and Switched Mode Power Supplies (SMPS) PFC stages where extra safety margin are required. They offer the world's lowest R_DS(on) of 19mΩ in a TO-247 and 45mΩ in TO-220 and D²PAK packages. The fast switching performance of C7 now enables customers to operate at switching frequencies greater than 100kHz while achieving titanium levels of efficiency in Server PFC stages.

DC急速EV充電ソリューション

Infineon TechnologiesのDC急速EV充電ソリューションは、e-モビリティのニーズに対応します。電気自動車の市場の台数が増え続け、2050 年までに自動車の二酸化炭素排出量をゼロするという政府からの圧力がある中、より効率的な充電ソリューションが求められています。消費者調査が示すように、エレクトロモビリティの普及は、充電プロセスの可用性と時間によって決まります。高出力直流充電ステーションは、このような市場の要求に応えるものです。すでに今日、標準的な電気自動車は、10分以内にバッテリ容量の約80％を充電することができます。これは、内燃機関による従来の自動車の給油に匹敵します。Infineonは、エネルギー効率に優れたDC急速EV充電の設計の実現を支援します。電力変換、マイクロコントローラ、セキュリティ、補助電源、通信など、全製品領域を網羅し、包括的ですぐに実装可能な製品・設計ポートフォリオをご用意しています。

住宅用エネルギー貯蔵システム（ESS）

Infineonレジデンシャル・ストレージ・ソリューション（ESS）には、弾力性のあるエネルギーインフラを最適なコストで作成および管理する多種多様な製品があります。ESSには、2通りの主要な使用事例があります。最初の事例は、ユーティリティが独立した太陽光の家庭（住宅環境）を作り出しています。2つ目の事例は、より大きなスケールで、需要の高い期間に電力が生成されます（ユーティリティスケールESS）。