AS4C32M16D2C-25BCN

Alliance Memory
913-S4C32M16D2C25BCN
AS4C32M16D2C-25BCN

メーカ:

詳細:
DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Commercial Temp - Tray

ECADモデル:
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在庫: 198

在庫:
198 すぐに出荷可能
工場リードタイム:
6 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥723.2 ¥723
¥668.8 ¥6,688
¥648 ¥16,200
¥633.6 ¥31,680
¥617.6 ¥61,760
¥598.4 ¥125,066
¥584 ¥244,112
¥579.2 ¥605,264
¥552 ¥1,384,416

製品属性 属性値 属性の選択
Alliance Memory
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR2
512 Mbit
16 bit
400 MHz
FBGA-84
32 M x 16
400 ps
1.7 V
1.9 V
0 C
+ 85 C
Tray
ブランド: Alliance Memory
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
工場パックの数量: 209
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
供給電流 - 最大: 75 mA
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選択した属性: 0

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CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.