AS6C6416-55BINTR

Alliance Memory
913-AS6C6416-55BINTR
AS6C6416-55BINTR

メーカ：

詳細：
SRAM 64M 3V 4048k x 16 LP Asynch SRAM IT

データシート:
ECADモデル:
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メーカ 部品番号:
AS6C6416-55BIN
梱包:
Tray
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最低:
1

製品属性 属性値 属性の選択
Alliance Memory
製品カテゴリー: SRAM
RoHS:  
64 Mbit
4 M x 16
55 ns
Parallel
3.6 V
2.7 V
20 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
FBGA-48
Reel
ブランド: Alliance Memory
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
メモリ タイプ: SDR
水分感度: Yes
製品タイプ: SRAM
シリーズ: AS6C6416-55
工場パックの数量: 2000
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
タイプ: Asynchronous
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選択した属性: 0

データシート

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.a

Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.

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