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CE3512K2

Name: CEL CE3512K2
Brand: CEL
SKU: 551-CE3512K2
Price: 345 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

551-CE3512K2

メーカ番号：

CE3512K2

メーカ：

CEL

詳細：

RF JFET トランジスター 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

データシート:

CE3512K2 データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 812

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EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥345.6	¥346
	¥232	¥2,320
	¥190.4	¥19,040
	¥164.8	¥82,400
	¥160	¥800,000
	¥156.2	¥1,562,000

他のパッケージ

メーカ部品番号:

CE3512K2-C1

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥267

最低:

類似製品

メーカ：

CEL

メーカ番号：

CE3512K2-C1

詳細：

RF JFET トランジスター 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

現在のパーツと比較

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	CEL
製品カテゴリー:	RF JFET トランジスター
RoHS:
トランジスタタイプ:	pHEMT
技術:	GaAs
動作周波数:	12 GHz
ゲイン:	13.7 dB
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	4 V
Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧:	- 3 V
Id - 連続ドレイン電流:	10 mA
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 125 C
Pd - 電力損失:	125 mW
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	MICRO-X-4
パッケージ化:	Bulk
ブランド:	CEL
構成:	Single
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	54 mS
ゲート - ソース間カットオフ電圧:	- 750 mV
NF - 雑音指数:	0.3 dB
製品タイプ:	RF JFET Transistors
工場パックの数量:	1
サブカテゴリ:	Transistors
単位重量:	16.473 mg

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選択した属性: 0

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データシート

CE3512K2 データシート (PDF)

JPHTS:: 854121000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.