GS8640Z18GT-250I

GSI Technology
464-GS8640Z18GT-250I
GS8640Z18GT-250I

メーカ:

詳細:
SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M

ECADモデル:
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在庫: 209

在庫:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥20,915.2 ¥20,915
¥19,036.8 ¥190,368
¥18,649.6 ¥335,693
¥17,667.2 ¥954,029
504 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
GSI Technology
製品カテゴリー: SRAM
RoHS:  
72 Mbit
4 M x 18
6.5 ns
250 MHz
Parallel
3.6 V
2.3 V
250 mA, 335 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TQFP-100
Tray
ブランド: GSI Technology
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TW
メモリ タイプ: SDR
水分感度: Yes
製品タイプ: SRAM
シリーズ: GS8640Z18GT
工場パックの数量: 18
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
トレードネーム: NBT SRAM
タイプ: NBT Pipeline/Flow Through
単位重量: 12.327 g
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854232029
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.