IXFH58N20

IXYS
747-IXFH58N20
IXFH58N20

メーカ：

詳細：
MOSFET 200V 58A

ライフサイクル:
NRND:
新デザインには推奨しません。
データシート:
ECADモデル:
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在庫状況

在庫：
在庫なし
工場リードタイム：
4 週間 工場生産予定時間。
最小: 300   倍数: 30
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
この製品は配送無料

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,680 ¥504,000

製品属性 属性値 属性の選択
IXYS
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
200 V
58 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
HyperFET
Tube
ブランド: IXYS
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: KR
下降時間: 16 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 32 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 15 ns
シリーズ: HiPerFET
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 72 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 18 ns
単位重量: 6 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99

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