IXFK120N30P3

Name: IXYS IXFK120N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK120N30P3
Price: 3025 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

747-IXFK120N30P3

メーカ番号：

IXFK120N30P3

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

データシート:

IXFK120N30P3 データシート

ECADモデル:

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	¥1,931.2	¥19,312
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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-264-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	300 V
Id - 連続ドレイン電流:	120 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	27 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	150 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.13 mW
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	HiPerFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	PH
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	IXFK120N30
工場パックの数量:	25
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
単位重量:	10 g

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541500000
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BRHTS:: 85415020
ECCN:: EAR99

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