IXFN64N60P

Name: IXYS IXFN64N60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN64N60P
Price: 5449 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

747-IXFN64N60P

メーカ番号：

IXFN64N60P

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFETモジュール 600V 64A

データシート:

IXFN64N60P データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

IXYS IXFN64N60Pの詳細を読む

在庫: 902

在庫：: 902 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 27 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥5,449.6	¥5,450
	¥4,019.2	¥40,192
	¥3,545.6	¥354,560

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Screw Mount
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	600 V
Id - 連続ドレイン電流:	50 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	96 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, + 30 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	700 W
シリーズ:	IXFN64N60
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	24 ns
高さ:	9.6 mm
長さ:	38.2 mm
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	23 ns
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	HiPerFET
タイプ:	HiperFET
標準電源切断遅延時間:	79 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	28 ns
幅:	25.07 mm
単位重量:	30 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IXFN64N60P データシート

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541100000
TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.