IXFP4N100P

Name: IXYS IXFP4N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP4N100P
Price: 822 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

747-IXFP4N100P

メーカ番号：

IXFP4N100P

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET 4 Amps 1000V

データシート:

IXFP4N100P データシート

ECADモデル:

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	¥545.6	¥5,456
	¥360	¥36,000
	¥339.2	¥169,600

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1 kV
Id - 連続ドレイン電流:	4 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.3 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	6 V
Qg - ゲート電荷:	26 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	150 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	HiPerFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	50 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	1.8 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	36 ns
シリーズ:	IXFP4N100
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	37 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	24 ns
単位重量:	2 g

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選択した属性: 0

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データシート

IXFP4N100P データシート

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JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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