BFP182WH6327XTSA1

Infineon Technologies
726-FP182WH6327XTSA1
BFP182WH6327XTSA1

メーカ:

詳細:
RFバイポーラトランジスタ RF BIP TRANSISTORS

ECADモデル:
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在庫: 6,836

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工場リードタイム:
15 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥44.8 ¥45
¥26.9 ¥269
¥21.3 ¥2,130
¥20.2 ¥10,100
¥19.4 ¥19,400
完全リール(3000の倍数で注文)
¥18.1 ¥54,300
¥17.4 ¥104,400
¥16.2 ¥145,800
¥16 ¥384,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: RFバイポーラトランジスタ
RoHS:  
Si
NPN
70
12 V
2 V
35 mA
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
SOT-343-4
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Infineon Technologies
最大 DC コレクタ電流: 35 mA
製品タイプ: RF Bipolar Transistors
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
別の部品番号: BFP 182W H6327 SP000745176
単位重量: 6.730 mg
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選択した属性: 0

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JPHTS:
8541210101
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

Infineon RFトランジスタ

Infineon RFトランジスタには、低ノイズアンプと高直線性トランジスタが搭載されています。低ノイズの分類に属するデバイスは、シリコン両極性技術に基づいています。中程度の遷移周波数fT <20 GHzにより、使用の容易さと安定性が実現されています。破壊電圧は、5Vの電源に安全に対応できます。これらのトランジスタは、最大14 GHzのVHF/UHFで、AMとの併用に最適です。

高直線性トランジスタにより、上記29 dBmのOIP3(出力出力3次インターセプトポイント)が実現されています。それらは、クラスノイズ指数において最高性能を実現するべく、Infineonの高ボリュームシリコン両極性およびSiGe:C技術に基づいています。 これらのデバイスは、ドライバ、プレアンプ、バッファアンプに理想的です。