FS35R12W1T7BOMA1

Infineon Technologies
726-FS35R12W1T7BOMA1
FS35R12W1T7BOMA1

メーカ:

詳細:
IGBT モジュール 1200 V, 35 A sixpack IGBT module

ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: IGBT モジュール
IGBT Silicon Modules
6-Pack
1.2 kV
1.6 V
35 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
ブランド: Infineon Technologies
製品タイプ: IGBT Modules
シリーズ: Trenchstop IGBT7
工場パックの数量: 24
サブカテゴリ: IGBTs
技術: Si
トレードネーム: EasyPACK
別の部品番号: FS35R12W1T7 SP005399225
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CNHTS:
8504409100
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

EasyPACK™ 1B IGBTパワーモジュール

インフィニオン (Infineon) EasyPACK™1BIGBTパワーモジュールはスケーラブルなパワーモジュールソリューションであり、柔軟なピングリッドシステムを備え、レイアウトやピン配列のカスタマイズに最適です。ベースプレートレスパッケージを採用し、さまざまなアプリケーションに使用できます。Infineon EasyPACK™ 1B IGBTパワーモジュールは、PIM(Power Integrated Module)またはシックスパック構成に対応し、600V/650V/1200Vにおいて20A~100Aの全電力範囲を網羅します。本モジュールは、135W~275Wの電力損失範囲を有し、-40°C~+150°Cまたは+175°Cの動作温度に対応しています。

1,200V 6パックIGBTモジュール

Infineon 1200V 6パックIGBTモジュールは、TRENCHSTOP ™ IGBT7、Emitter Controlled 7 ダイオード、NTC技術を搭載したEasyPACK™1B 6パックIGBTモジュールです。この技術は、電力損失を大幅に削減し、高い制御性を提供します。セルの概念は、以前に使用されていた正方形のトレンチセルと比較して、サブミクロンのメサによって分離された平行なトレンチセルを実装で特徴付けられています。チップは、工業ドライブアプリケーションと太陽光エネルギーシステム向けに特別に最適化されています。これは、はるかに低い静的損失、より高い電力密度、さらにソフトなスイッチングを意味します。Infineon 1200V 6パックIGBTモジュールで最大許容動作温度を175°Cまで高めることにより、電力密度を大幅に高めることができます。

TRENCHSTOP™ IGBT7ディスクリートとモジュール

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7ディスクリートとモジュールは、可変速度ドライブ用に設計されています。すべての産業用ドライブの半数に電気速度制御を実装できれば、エネルギーを最大20%、もしくはCO2 を1,700万トン削減できると考えられています。Infineonは、TRENCHSTOP IGBT7技術を活用してこの動きを促進しています。

EasyPIM™ IGBTモジュール

Infineon Technologies EasyPIM™ IGBTモジュールは、3相入力整流器PIM IGBTモジュールで、TRENCHSTOP™ IGBT7、エミッタ制御7ダイオード、NTC/PressFit技術が採用されています。このモジュールは、dv/dtの制御性の強化、FWDの柔らかさの向上、スイッチング損失の最適化、8µsの短絡堅牢性が特徴です。EasyPIM(パワー統合モジュール)は、非常に小さなサイズで、さらなる高電力の実現に役立ちます。このモジュールは、エネルギー効率要件を満たすようにシステムコストと損失を削減します。一般的なアプリケーションには、補助インバータ、エアコン、サーボモータ、過熱、換気、空調(HVAC)があります。