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IAUCN08S7N016TATMA1

Name: Infineon IAUCN08S7N016TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN08S7N016TAT
Price: 740 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-IAUCN08S7N016TAT

メーカ番号：

IAUCN08S7N016TATMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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数量	ユニット価格	合計額
	¥740.8	¥741
	¥491.2	¥4,912
	¥348.8	¥34,880
	¥324.8	¥162,400
	¥307.2	¥307,200
完全リール（2000の倍数で注文）
	¥276.8	¥553,600
10,000	見積り

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PG-LHDSO-10-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	262 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.63 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.2 V
Qg - ゲート電荷:	83 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	205 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	OptiMOS
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
下降時間:	20 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	18 ns
シリーズ:	OptiMOS 7
工場パックの数量:	2000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	31 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	16 ns
別の部品番号:	IAUCN08S7N016T SP005981920

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JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 7 車載用パワーMOSFET

Infineon Technologiesは、業界最小クラスのオン抵抗、スイッチング損失の低減、堅牢性の向上を提供する最新の車載用パワーMOSFET技術「OptiMOS™ 7」を発表しました。OptiMOS 7は、車載用パワーMOSFETの基準を再び打ち立てています。InfineonのOptiMOS 7 MOSFETテクノロジーは、自動車アプリケーションを対象とした新しい基準を確立しており、将来の車載システムの課題に対処しながら性能と効率性を実現できます。

OptiMOS™ 7 80V車載用パワーMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V車載用パワーMOSFETは、Infineonの最先端のパワー半導体技術を用いて製造されています。これらのMOSFETは、要求の厳しい車載アプリケーションに必要とされる高性能、高品質、および堅牢性を特に重視して設計されています。OptiMOS™ 7 80V MOSFETは、±20V_GS ゲートソース電圧で動作し、温度範囲は-55°C～175°Cです。これらのMOSFETは、上面冷却型SSO10T 5x7mm2 SMDパッケージで提供されます。SSO10Tパッケージは、冷却と電力密度の向上を達成する上で役立ちます。80VパワーMOSFETは、MSL-1等級、RoHS準拠で、100%アバランシェ試験済です。これらのパワーMOSFETは、一般的な車載アプリケーションに最適です。