GTRA362002FC-V1-R0

MACOM
941-GTRA362002FCV1R0
GTRA362002FC-V1-R0

メーカ：

詳細：
GaN FET 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
MACOM GTRA362002FC-V1-R0の詳細を読む
この製品をアメリカから配送するには、追加の書類が必要になることがあります。

在庫: 40

在庫：
40 すぐに出荷可能
40を超える数量には、最低発注量条件が適用されます。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（50の倍数で注文）
この製品は配送無料

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥33,947.2 ¥33,947
¥23,937.6 ¥239,376
完全リール（50の倍数で注文）
¥23,937.6 ¥1,196,880
100 見積り
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
MACOM
製品カテゴリー: GaN FET
配送制限
 この製品をアメリカから配送するには、追加の書類が必要になることがあります。
RoHS:  
Screw Mount
H-37248C-4
N-Channel
150 V
4.1 A
+ 225 C
ブランド: MACOM
ゲイン: 13.5 dB
最高動作周波数: 3.6 GHz
最小動作周波数: 3.4 GHz
出力電力: 200 W
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品タイプ: GaN FETs
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
トランジスタ タイプ: GaN HEMT
Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧: - 10 V to 2 V
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

PCN

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

USHTS:
8541290055
ECCN:
3A001.b.3.a

5G RF JFETとLDMOS FET

MACOM 5G RF JFET (Junction Field Effect Transistors、接合型電界効果トランジスタ) およびLDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor、横方向拡散金属酸化膜半導体) FETは、次世代ワイヤレス伝送向けの熱特性が強化されたハイパワートランジスタです。これらのデバイスは、GaN on SiC高電子移動度トランジスタ (HEMT) テクノロジー、入力マッチング、高効率、熱的に強化された表面実装パッケージが特徴で、耳なしフランジが備わっています。MACOM 5G RF JFETおよびLDMOS FETは、マルチスタンダードセルラーパワーアンプ・アプリケーションに最適です。 

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。