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MSC015SMA070B4

Name: Microchip MSC015SMA070B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC015SMA070B4
Price: 3112 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

494-MSC015SMA070B4

メーカ番号：

MSC015SMA070B4

メーカ：

Microchip Technology

詳細：

SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4

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データシート:

MSC015SMA070B4 データシート (PDF)

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	¥3,112	¥3,112
	¥2,875.2	¥28,752
	¥2,502.4	¥75,072

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Microchip
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	700 V
Id - 連続ドレイン電流:	112 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	19 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.9 V
Qg - ゲート電荷:	215 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	524 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Microchip Technology
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	PH
下降時間:	12 ns
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	22 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	40 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	27 ns
単位重量:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiCショットキーバリアダイオード

Microsemi / Microchip SiCショットキーバリアダイオード（SBD）には、従来のシリコンパワーダイオードよりダイナミック性能と熱性能が備わっています。SiC（シリコンカーバイド）バリアダイオードは、シリコン（Si）と炭素（C）で構成されています。シリコン専用デバイスに比べてSiCデバイスには、はるかに高い絶縁破壊電界強度、より高いバンドギャップ、より高い熱伝導率が備わっています。SiCショットキーダイオードは、ゼロ順方向と逆回復電荷が特徴で、ダイオードスイッチング損失を削減します。また、これらのデバイスには、温度個別スイッチングが備わっており、安定的な高温度性能が確保されます。