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MSC015SMA070S

Name: Microchip MSC015SMA070S
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC015SMA070S
Price: 3004 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

494-MSC015SMA070S

メーカ番号：

MSC015SMA070S

メーカ：

Microchip Technology

詳細：

SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-268

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データシート:

MSC015SMA070S データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 91

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	¥2,769.6	¥83,088
	¥2,411.2	¥289,344

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Microchip
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	D3PAK-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	700 V
Id - 連続ドレイン電流:	112 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	19 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.9 V
Qg - ゲート電荷:	215 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	477 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Microchip Technology
構成:	Single
下降時間:	20 ns
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	34 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	53 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	25 ns
単位重量:	6.200 g

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JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

シリコンカーバイド（SiC）半導体

Microchip Technologyのシリコンカーバイド（SiC）半導体は、産業、医療、軍事/航空宇宙、航空、通信の市場セグメントをカバーする製品において、システム効率の向上、フォームファクタの小型化、動作温度の向上を目指すパワーエレクトロニクス設計者にとって革新的な選択肢です。Microchipの次世代SiC MOSFET、およびSiCショットキーバリアダイオード（SBD）は、高い繰り返し非クランプ誘導スイッチング（UIS）能力を持つように設計されており、同社のSiC MOSFETは、約10J/cm² ～15J/cm² で高いUIS能力を維持し、3ms～5msで堅牢な短絡保護を実現しています。Microchip TechnologyのSiC SBDは、スイッチング損失を低減するために、低逆電流でサージ電流、順電圧、熱抵抗、および熱静電容量の定格がバランスするように設計されています。また、SiC MOSFETとSiC SBDを組み合わせてモジュール化することも可能です。

シリコンカーバイド（SiC）MOSFET

Microsemi / Microchipシリコンカーバイド（SiC）MOSFETには、従来のシリコン（Si）パワーMOSFETより優れたダイナミックおよび熱性能が備わっています。これらのMOSFETは、低静電容量、低ゲート電荷、高速スイッチング速度、優れたアバランシェ耐久性を備えています。SiC MOSFETは、175°Cの高接合温度で安定した動作が可能です。これらのMOSFETは、低スイッチング損失での高効率を実現しています。SiC MOSFETには、フリーホイールダイオードは一切不要で、システムコストを削減できます。代表的なアプリケーションには、スマートグリッド伝達と分配、誘導加熱と溶接、電源、さらに分配があります。