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MSC035SMA170B

Name: Microchip MSC035SMA170B
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC035SMA170B
Price: 6491 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

494-MSC035SMA170B

メーカ番号：

MSC035SMA170B

メーカ：

Microchip Technology

詳細：

SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247

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データシート:

MSC035SMA170B データシート (PDF)

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	¥5,985.6	¥179,568
	¥5,209.6	¥625,152

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Microchip
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.7 kV
Id - 連続ドレイン電流:	68 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	45 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.8 V
Qg - ゲート電荷:	178 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	370 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Microchip Technology
構成:	Single
下降時間:	17 ns
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	10 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	15 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	9 ns
単位重量:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiCショットキーバリアダイオード

Microsemi / Microchip SiCショットキーバリアダイオード（SBD）には、従来のシリコンパワーダイオードよりダイナミック性能と熱性能が備わっています。SiC（シリコンカーバイド）バリアダイオードは、シリコン（Si）と炭素（C）で構成されています。シリコン専用デバイスに比べてSiCデバイスには、はるかに高い絶縁破壊電界強度、より高いバンドギャップ、より高い熱伝導率が備わっています。SiCショットキーダイオードは、ゼロ順方向と逆回復電荷が特徴で、ダイオードスイッチング損失を削減します。また、これらのデバイスには、温度個別スイッチングが備わっており、安定的な高温度性能が確保されます。