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MSC040SMA120B4

Name: Microchip MSC040SMA120B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC040SMA120B4
Price: 2368 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

494-MSC040SMA120B4

メーカ番号：

MSC040SMA120B4

メーカ：

Microchip Technology

詳細：

SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4

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データシート:

MSC040SMA120B4 データシート (PDF)

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	¥2,224	¥22,240
	¥2,172.8	¥65,184
	¥2,091.2	¥1,066,512
1,020	見積り

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Microchip
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	66 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	40 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.6 V
Qg - ゲート電荷:	137 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	323 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Microchip Technology
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
単位重量:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiCショットキーバリアダイオード

Microsemi / Microchip SiCショットキーバリアダイオード（SBD）には、従来のシリコンパワーダイオードよりダイナミック性能と熱性能が備わっています。SiC（シリコンカーバイド）バリアダイオードは、シリコン（Si）と炭素（C）で構成されています。シリコン専用デバイスに比べてSiCデバイスには、はるかに高い絶縁破壊電界強度、より高いバンドギャップ、より高い熱伝導率が備わっています。SiCショットキーダイオードは、ゼロ順方向と逆回復電荷が特徴で、ダイオードスイッチング損失を削減します。また、これらのデバイスには、温度個別スイッチングが備わっており、安定的な高温度性能が確保されます。