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MSC050SDA120B

Name: Microchip MSC050SDA120B
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC050SDA120B
Price: 2707 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

494-MSC050SDA120B

メーカ番号：

MSC050SDA120B

メーカ：

Microchip Technology

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード SIC SBD 1200 V 50 A TO-247

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データシート:

MSC050SDA120B データシート

ECADモデル:

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在庫: 52

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	¥2,496	¥74,880
	¥2,172.8	¥260,736

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Microchip
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-2
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	50 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	1.2 kV
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.5 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	290 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	200 uA
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	MSC0
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Microchip Technology
Pd - 電力損失:	429 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	1.2 kV
単位重量:	12 g

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiCショットキーバリアダイオード

Microsemi / Microchip SiCショットキーバリアダイオード（SBD）には、従来のシリコンパワーダイオードよりダイナミック性能と熱性能が備わっています。SiC（シリコンカーバイド）バリアダイオードは、シリコン（Si）と炭素（C）で構成されています。シリコン専用デバイスに比べてSiCデバイスには、はるかに高い絶縁破壊電界強度、より高いバンドギャップ、より高い熱伝導率が備わっています。SiCショットキーダイオードは、ゼロ順方向と逆回復電荷が特徴で、ダイオードスイッチング損失を削減します。また、これらのデバイスには、温度個別スイッチングが備わっており、安定的な高温度性能が確保されます。

シリコンカーバイド（SiC）半導体

Microchip Technologyのシリコンカーバイド（SiC）半導体は、産業、医療、軍事/航空宇宙、航空、通信の市場セグメントをカバーする製品において、システム効率の向上、フォームファクタの小型化、動作温度の向上を目指すパワーエレクトロニクス設計者にとって革新的な選択肢です。Microchipの次世代SiC MOSFET、およびSiCショットキーバリアダイオード（SBD）は、高い繰り返し非クランプ誘導スイッチング（UIS）能力を持つように設計されており、同社のSiC MOSFETは、約10J/cm² ～15J/cm² で高いUIS能力を維持し、3ms～5msで堅牢な短絡保護を実現しています。Microchip TechnologyのSiC SBDは、スイッチング損失を低減するために、低逆電流でサージ電流、順電圧、熱抵抗、および熱静電容量の定格がバランスするように設計されています。また、SiC MOSFETとSiC SBDを組み合わせてモジュール化することも可能です。