MSCSM120AM02CT6LIAG

Microchip Technology
494-SM120AM02CT6LIAG
MSCSM120AM02CT6LIAG

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詳細：
ディスクリート半導体モジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
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製品属性 属性値 属性の選択
Microchip
製品カテゴリー: ディスクリート半導体モジュール
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
SMD/SMT
SP6
- 40 C
+ 125 C
ブランド: Microchip Technology
構成: Dual
下降時間: 67 ns
Id - 連続ドレイン電流: 947 A
Pd - 電力損失: 3.75 kW
製品タイプ: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 2.6 mOhms
上昇時間: 55 ns
工場パックの数量: 1
サブカテゴリ: Discrete Semiconductor Modules
トランジスタ極性: N-Channel
標準電源切断遅延時間: 166 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 56 ns
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 1.2 kV
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧: 1.8 V
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データシート

DTS

PCN

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

AgileSwitch® Phase Leg SiC MOSFETパワーモジュール

Microsemi / Microchip AgileSwitch®Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFETパワーモジュールは、SiC MOSFETとSiCダイオードで構成され、両デバイスの利点を兼ね備えています。これらのパワーモジュールは、極めて低いインダクタンスSP6LIパッケージが特徴で、最大浮遊インダクタンスは3nHです。これらのSP6LIパワーモジュールは、1200Vおよび1700Vで販売されており、+80°Cのケース温度(TC)が備わっています。より高い電力密度とコンパクトなフォームファクタが備わっているSP6LIパッケージによって、より少ない数のモジュールを並列に使用して完全なシステムを達成できるため、設計者は機器をさらに小型化できます。

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