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MSCSM120AM03CT6LIAG

Name: Microchip MSCSM120AM03CT6LIAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-SM120AM03CT6LIAG
Price: 150758 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

494-SM120AM03CT6LIAG

メーカ番号：

MSCSM120AM03CT6LIAG

メーカ：

Microchip Technology

詳細：

ディスクリート半導体モジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI

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データシート:

MSCSM120AM03CT6LIAG データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Microchip
製品カテゴリー:	ディスクリート半導体モジュール
RoHS:
製品:	MOSFET-SiC SBD Modules
タイプ:	MOSFET / SiC SBD
技術:	SiC
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.5 V
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	1.2 kV
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 25 V
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SP6
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
ブランド:	Microchip Technology
構成:	Dual
下降時間:	67 ns
Id - 連続ドレイン電流:	805 A
Pd - 電力損失:	3.215 kW
製品タイプ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.1 mOhms
上昇時間:	55 ns
工場パックの数量:	1
サブカテゴリ:	Discrete Semiconductor Modules
トランジスタ極性:	N-Channel
標準電源切断遅延時間:	166 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	56 ns
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.8 V

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USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

AgileSwitch® Phase Leg SiC MOSFETパワーモジュール

Microsemi / Microchip AgileSwitch®Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFETパワーモジュールは、SiC MOSFETとSiCダイオードで構成され、両デバイスの利点を兼ね備えています。これらのパワーモジュールは、極めて低いインダクタンスSP6LIパッケージが特徴で、最大浮遊インダクタンスは3nHです。これらのSP6LIパワーモジュールは、1200Vおよび1700Vで販売されており、+80°Cのケース温度(T_C)が備わっています。より高い電力密度とコンパクトなフォームファクタが備わっているSP6LIパッケージによって、より少ない数のモジュールを並列に使用して完全なシステムを達成できるため、設計者は機器をさらに小型化できます。