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RQ6P020ATTCR

Name: ROHM Semiconductor RQ6P020ATTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ6P020ATTCR
Price: 145 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-RQ6P020ATTCR

メーカ番号：

RQ6P020ATTCR

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

データシート:

RQ6P020ATTCR データシート

ECADモデル:

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在庫: 4,215

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	¥103.7	¥1,037
	¥69.4	¥6,940
	¥53.6	¥26,800
	¥48.6	¥48,600
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥41.9	¥125,700
	¥38.7	¥232,200
	¥36.2	¥325,800
	¥35.7	¥856,800

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOT-457T-6
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	2 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	220 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	24 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.25 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	30 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	3.4 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	11 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	83 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	8.9 ns

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CNHTS:: 8541290000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

第4世代NチャンネルSiCパワーMOSFET

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