TP65H030G4PRS-TR

Renesas Electronics
227-TP65H030G4PRS-TR
TP65H030G4PRS-TR

メーカ：

詳細：
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT

ライフサイクル:
新製品:
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ECADモデル:
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在庫: 1,428

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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（1300の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥1,592 ¥1,592
¥1,097.6 ¥10,976
¥896 ¥89,600
完全リール（1300の倍数で注文）
¥731.2 ¥950,560
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Renesas Electronics
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
TOLT-16
N-Channel
1 Channel
650 V
55.7 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.8 V
24.5 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
SuperGaN
ブランド: Renesas Electronics
構成: Single
下降時間: 5.2 ns
水分感度: Yes
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品: FETs
製品タイプ: GaN FETs
上昇時間: 6.4 ns
シリーズ: Gen IV SuperGaN
工場パックの数量: 1300
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
タイプ: GaN FET
標準電源切断遅延時間: 63.6 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 26.4 ns
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FET

Renesas Electronics 650V TP65H030G4Px 30mΩ窒化ガリウム（GaN）FETは、TOLT、TO247、TOLLパッケージでご用意があります。最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧のシリコンMOSFETを組み合わせ、優れた性能、スタンダードドライブ、容易な採用と高い信頼を可能にしているGen IV Plus SuperGaN® プラットフォームを使用しています。

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

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