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TP65H030G4PWS

Name: Renesas Electronics TP65H030G4PWS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H030G4PWS
Price: 1603 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

227-TP65H030G4PWS

メーカ番号：

TP65H030G4PWS

メーカ：

Renesas Electronics

詳細：

GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L

ライフサイクル:

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データシート:

TP65H030G4PWS データシート (PDF)

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在庫: 798

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	¥1,121.6	¥11,216
	¥763.2	¥76,320
	¥752	¥721,920

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Renesas Electronics
製品カテゴリー:	GaN FET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	55.7 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	41 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.8 V
Qg - ゲート電荷:	24.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	192 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	SuperGaN
ブランド:	Renesas Electronics
構成:	Single
下降時間:	8 ns
パッケージ化:	Tube
製品:	FETs
製品タイプ:	GaN FETs
上昇時間:	6.8 ns
シリーズ:	Gen IV SuperGaN
工場パックの数量:	960
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	GaN
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
タイプ:	GaN FET
標準電源切断遅延時間:	89.2 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	40.8 ns

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選択した属性: 0

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データシート

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JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FET

Renesas Electronics 650V TP65H030G4Px 30mΩ窒化ガリウム（GaN）FETは、TOLT、TO247、TOLLパッケージでご用意があります。最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧のシリコンMOSFETを組み合わせ、優れた性能、スタンダードドライブ、容易な採用と高い信頼を可能にしているGen IV Plus SuperGaN^®プラットフォームを使用しています。

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.