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TP70H300G4JSGB-TR

Name: Renesas Electronics TP70H300G4JSGB-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP70H300G4JSGBTR
Price: 609 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

227-TP70H300G4JSGBTR

メーカ番号：

TP70H300G4JSGB-TR

メーカ：

Renesas Electronics

詳細：

GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN

データシート:

TP70H300G4JSGB-TR データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Renesas Electronics
製品カテゴリー:	GaN FET
RoHS:
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	700 V
トレードネーム:	SuperGaN
ブランド:	Renesas Electronics
水分感度:	Yes
パッケージ化:	Reel
製品:	FETs
製品タイプ:	GaN FETs
シリーズ:	Gen IV SuperGaN
工場パックの数量:	5000
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	GaN

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データシート

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USHTS:: 8541497040
ECCN:: EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.