ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

SCT018H65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT018H65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018H65G3AG
Price: 2476 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-SCT018H65G3AG

メーカ番号：

SCT018H65G3AG

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

あなたの設計を完成させましょう

データシート:

SCT018H65G3AG データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

STMicroelectronics SCT018H65G3AGの詳細を読む

在庫: 202

在庫：: 202 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 16 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

パッケージング:

完全リール（1000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥2,476.8	¥2,477
	¥1,748.8	¥17,488
	¥1,593.6	¥796,800
完全リール（1000の倍数で注文）
	¥1,300.8	¥1,300,800

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	H2PAK-7
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	55 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	27 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.2 V
Qg - ゲート電荷:	79.4 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	385 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	25 ns
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	28 ns
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	56 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	25 ns

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

SCT018H65G3AG データシート (PDF)

PCN

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650シリコンカーバイド (SiC) MOSFET

STMicroelectronics 650シリコンカーバイド（SiC）MOSFETは、エリア毎の非常に低いオン状態抵抗（R_DS(on)）が特徴で、優れたスイッチング性能と組み合わされています。これよって、効率的な小型システムにすることができます。シリコンMOSFETに比べて、SiC MOSFETは、高温であっても領域あたりのオン状態抵抗が低くなっています。また、SiC MOSFETは、すべての温度範囲でのベストインクラスのIGBTに対する優れたスイッチング性能も特徴です。これによって、電子システムの電力熱設計を簡素化できます。

SCTx0N120シリコンカーバイドパワーMOSFET

STMicroelectronics SCTx0N120シリコンカーバイドパワーMOSFETは、高度で革新的なワイドバンドギャップ素材を使用して製造されています。この結果、1単位面積当たり卓越したオン抵抗および温度にほとんど依存しない非常に良好な切替性能を実現します。優れたSiC材料の熱特性と独自のHiP247™パッケージにより、設計者は大幅に改善された過熱能力を備えた業界標準の外形を使用することが可能です。高効率かつ高電力密度用途向けに最適なデバイスのレンダリングが特徴です。