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STDRIVEG211QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG211QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG211QTR
Price: 643 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STDRIVEG211QTR

メーカ番号：

STDRIVEG211QTR

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

ゲートドライバ High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

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STDRIVEG211QTR データシート (PDF)

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カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥643.2	¥643
	¥425.6	¥4,256
	¥387.2	¥9,680
	¥329.6	¥32,960
	¥312	¥78,000
	¥280	¥140,000
	¥262.4	¥262,400
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥222.4	¥667,200

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	Gate Drivers
タイプ:	Half-Bridge
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	QFN-18
ドライバ数:	2 Driver
出力数:	2 Output
供給電圧 - 最小:	10.7 V
供給電圧 - 最大:	18 V
構成:	Inverting, Non-Inverting
上昇時間:	22 ns
下降時間:	11 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	STMicroelectronics
製品タイプ:	Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大:	45 ns
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	7 Ohms
シャットダウン:	Shutdown
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	GaN

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選択した属性: 0

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG600ハーフブリッジゲートドライバ

STMicroelectronics STDRIVEG600ハーフブリッジゲートドライバは、シングルチップ・ハーフブリッジゲートドライバで、GaN (窒化ガリウム) eHEMT (エンハンスメントモード高電子移動度トランジスタ）またはNチャンネルパワーMOSFETを対象としています。STDRIVEG600のハイサイドは、最高600Vまでの電圧に耐えるように設計されており、最高500Vまでのバス電圧をともなう設計に適しています。このデバイスは、その大電流能力、短い伝搬遅延、最低5Vまでの電源電圧での動作のおかげで、高速GaNおよびシリコンFETの駆動に最適です。

STDRIVEG211ハーフブリッジ・ゲートドライバ

STMicroelectronics STDRIVEG211ハーフブリッジ・ゲートドライバは、Nチャネル・エンハンスメント・モードGaN用に設計されており、ハイサイド・ドライバセクションは、最高220Vの電圧レールに耐えることができます。能力、優れた遅延整合が備わった短い伝搬遅延、統合LDOが特徴です。そのため高速GaN駆動向けに最適化されています。STDRIVEG211ハーフブリッジゲートドライバは、ハードスイッチングアプリケーション向けにカスタマイズされた供給UVLO、クロス導通状態を回避するインターロッキング、SmartSD搭載過電流コンパレータが特徴です。コントローラとの簡単な接続が可能になるさまざまな入力ピンがあります。スタンバイピンを使用すると、非アクティブ期間またはバーストモード時の電力消費を低減できます。アプリケーションには、ソーラーマイクロインバータ、Class Dオーディオアンプ、電動バイク、LED照明、USB-C、電力ツール、ロボティクスなどがあります。