STDRIVEG212QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG212QTR
STDRIVEG212QTR

メーカ:

詳細:
ゲートドライバ High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: ゲートドライバ
Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1.8 A
10.3 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
22 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
ブランド: STMicroelectronics
開発キット: EVLSTDRIVEG212
最長電源切断遅延時間: 65 ns
最長電源投入遅延時間: 65 ns
水分感度: Yes
動作供給電流: 900 uA
出力電圧: 220 V
製品タイプ: Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大: 65 ns
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 4.8 Ohms
シャットダウン: Shutdown
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: GaN
トレードネーム: STDRIVE
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選択した属性: 0

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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG212 220V ハーフブリッジ ゲートドライバ

STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics) STDRIVEG212 220V ハーフブリッジ ゲートドライバは、5V駆動のエンハンスメントモードGaN HEMTを駆動するために最適化されています。ハイサイドのドライバセクションは、最大220Vの電圧レールをサポートするように設計されており、内蔵のブートストラップダイオードから簡単に給電できます。大電流駆動能力、短い伝搬遅延と優れた遅延整合性、および内蔵LDOにより、STDRIVEG212は高速GaNの駆動に最適です。

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