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STDRIVEG600

Name: STMicroelectronics STDRIVEG600
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG600
Price: 916 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STDRIVEG600

メーカ番号：

STDRIVEG600

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

ゲートドライバ High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

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データシート:

STDRIVEG600 データシート (PDF)

ECADモデル:

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価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥916.9	¥917
	¥699.3	¥6,993
	¥644.5	¥16,113
	¥583	¥58,300
	¥554.8	¥138,700
	¥538.2	¥269,100
	¥531.5	¥531,500
	¥524.9	¥1,049,800

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メーカ部品番号:

STDRIVEG600TR

梱包:

Reel, Cut Tape, MouseReel

在庫状況:

在庫

価格:

¥772

最低:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	Half-Bridge Drivers
タイプ:	High-Side, Low-Side
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOIC-16
ドライバ数:	2 Driver
出力数:	1 Output
出力電流:	5.5 A, 6 A
供給電圧 - 最小:	4.75 V
供給電圧 - 最大:	20 V
上昇時間:	7 ns
下降時間:	5 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
論理タイプ:	CMOS, TTL
水分感度:	Yes
出力電圧:	520 V
製品タイプ:	Gate Drivers
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	GaN

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選択した属性: 0

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データシート

STDRIVEG600 データシート (PDF)

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: イタリア
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STDRIVEG600ハーフブリッジゲートドライバ

STMicroelectronics STDRIVEG600ハーフブリッジゲートドライバは、シングルチップ・ハーフブリッジゲートドライバで、GaN (窒化ガリウム) eHEMT (エンハンスメントモード高電子移動度トランジスタ）またはNチャンネルパワーMOSFETを対象としています。STDRIVEG600のハイサイドは、最高600Vまでの電圧に耐えるように設計されており、最高500Vまでのバス電圧をともなう設計に適しています。このデバイスは、その大電流能力、短い伝搬遅延、最低5Vまでの電源電圧での動作のおかげで、高速GaNおよびシリコンFETの駆動に最適です。