STF27N60M2-EP

STMicroelectronics
511-STF27N60M2-EP
STF27N60M2-EP

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥569.6 ¥570
¥288 ¥2,880
¥260.8 ¥26,080
¥212.8 ¥106,400
¥195.2 ¥195,200
¥184 ¥368,000

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20 A
163 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MDmesh
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 6.3 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 8.1 ns
シリーズ: STF27N60M2-EP
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 55.6 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 13.4 ns
単位重量: 2 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
854110090
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

MDmesh™ II パワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス MDmesh™ II パワーMOSFETは、業界最低レベルのオン抵抗とゲート電荷を達成するため、垂直構造をSTMのストリップレイアウトに関連付け、最も要求の厳しい高効率コンバータに対応させました。MDmesh™ II パワーMOSFETは、完全絶縁され、ピンからヒートシンク板までの沿面経路の長い薄型パッケージを使用しています。100%アバランシェ試験済みで、低い入力キャパシタンス、ゲート電荷、ゲート入力抵抗を特徴とします。
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