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STF33N60M2

Name: STMicroelectronics STF33N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF33N60M2
Price: 660 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STF33N60M2

メーカ番号：

STF33N60M2

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2

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データシート:

STF33N60M2 データシート (PDF)

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在庫: 352

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	¥288.5	¥28,850
	¥259.2	¥129,600

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	600 V
Id - 連続ドレイン電流:	26 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	108 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	45.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	35 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	9 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	9.6 ns
シリーズ:	STF33N60M2
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	109 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	16 ns
単位重量:	2 g

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データシート

STF33N60M2 データシート (PDF)

PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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