STGP6M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP6M65DF2
STGP6M65DF2

メーカ：

詳細：
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
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データシート:
ECADモデル:
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在庫：
在庫なし
工場リードタイム：
15 週間 工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥288 ¥288
¥140.6 ¥1,406
¥124.6 ¥12,460
¥98.6 ¥49,300
¥89.1 ¥89,100
¥79.4 ¥158,800
¥73.9 ¥369,500
¥72.2 ¥722,000

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
12 A
88 W
- 55 C
+ 175 C
STGP6M65DF2
Tube
ブランド: STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値: 12 A
ゲート - エミッタ リーク電流: +/- 250 uA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 1.800 g
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

650V MシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBT

STMicroelectronics 60V MシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBTは、独自の先進的トレンチゲートとフィールドストップ構造を使用して開発しています。650V Mシリーズは最大100kHzの動作周波数を備えたアプリケーション用に、3A～150Aの最大コレクター電流を供給します。設計が最適化されており、カスタマイズされた内蔵の抗並列ダイオードでご利用いただけます。
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