STO68N65DM6

STMicroelectronics
511-STO68N65DM6
STO68N65DM6

メーカ:

詳細:
MOSFET N-channel 650 V, 53 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET

ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-LL-8
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
65 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
240 W
Enhancement
Reel
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: MY
下降時間: 7.5 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 12 ns
シリーズ: MDmesh DM6
工場パックの数量: 1800
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 69 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 23 ns
単位重量: 697 mg
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFETには、低ゲート電荷(Qg)と最適化された容量特性が組み合わされており、電力変換アプリケーションにおける新しいトポロジでの高い効率性を目的としています。スーパージャンクションMDmesh™ M6シリーズには、効率性が極めて高い性能が備わっており、電力密度の増大と低ゲート電荷がもたらされており、高周波数を目的としています。M6シリーズMOSFETには、600~700Vの破壊電圧範囲が備わっています。また、TOリードレス (TO-LL) パッケージ・ソリューションを始めとする広範なパッケージ・オプションがあり、効率的な熱管理が可能になります。このデバイスには、広範な動作電圧が備わっており、充電器、アダプタ、シルバー・ボックス・モジュール、LED照明、テレコム、サーバ、ソーラーを始めとする工業アプリケーションを対象としています。