STP100N10F7

STMicroelectronics
511-STP100N10F7
STP100N10F7

メーカ：

詳細：
MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150
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合計 額:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥433.6 ¥434
¥214.4 ¥2,144
¥201.6 ¥20,160
¥169.6 ¥84,800
¥141.6 ¥141,600
¥132.5 ¥265,000

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
80 A
8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
STripFET
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 16 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 40 ns
シリーズ: STP100N10F7
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 46 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 27 ns
単位重量: 2 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

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STripFET™ パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術の最新の改良効果を享受する、強化版MOSFETです。改善の結果、STripFET™パワーMOSFETは、モーター制御、UPS、DC/DCコンバータ、誘導加熱蒸発器、太陽光発電など、車載用・産業用スイッチングアプリケーションに要求される高電流と低RDS(on)を実現します。STマイクロエレクトロニクス STripFET™パワーMOSFETは、非常に低いスイッチングゲート電荷、優れたアバランシェ耐性、低いスイッチングゲートドライブの電力損失、高出力密度を備えます。STripFET™パワーMOSFETは、業界最低レベルのRDS(on) 30V〜150VパワーMOSFETを提供しています。
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