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STP12N50M2

Name: STMicroelectronics STP12N50M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP12N50M2
Price: 352 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STP12N50M2

メーカ番号：

STP12N50M2

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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データシート:

STP12N50M2 データシート (PDF)

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	¥171.2	¥1,712
	¥153	¥15,300
	¥121.9	¥60,950
	¥111.8	¥111,800
	¥107.8	¥215,600

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	500 V
Id - 連続ドレイン電流:	10 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	380 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	15 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	85 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	34.5 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	10.5 ns
シリーズ:	STP12N50M2
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	8 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	13.5 ns
単位重量:	2 g

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PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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