STP270N8F7

STMicroelectronics
511-STP270N8F7
STP270N8F7

メーカ:

詳細:
MOSFET N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG

ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

在庫: 839

在庫:
839 すぐに出荷可能
工場リードタイム:
21 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥844.8 ¥845
¥510.4 ¥5,104
¥454.4 ¥45,440
¥392 ¥196,000
¥361.6 ¥361,600
¥360 ¥720,000
¥358.4 ¥1,792,000
10,000 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
80 V
180 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
193 nC
- 55 C
+ 175 C
315 W
Enhancement
STripFET
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 42 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 180 ns
シリーズ: STP270N8F7
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 98 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 56 ns
単位重量: 2 g
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STripFET™ パワーMOSFET

STripFET™ パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術の最新の改良効果を享受する、強化版MOSFETです。改善の結果、STripFET™パワーMOSFETは、モーター制御、UPS、DC/DCコンバータ、誘導加熱蒸発器、太陽光発電など、車載用・産業用スイッチングアプリケーションに要求される高電流と低RDS(on)を実現します。STマイクロエレクトロニクス STripFET™パワーMOSFETは、非常に低いスイッチングゲート電荷、優れたアバランシェ耐性、低いスイッチングゲートドライブの電力損失、高出力密度を備えます。STripFET™パワーMOSFETは、業界最低レベルのRDS(on) 30V〜150VパワーMOSFETを提供しています。
詳細

パワーMOSFETとIGBTの最新技術

STMicroelectronicsは、パワーMOSFETとIGBTの最新技術を提供します。STは、SMPS、照明、モータ制御、およびさまざまな産業アプリケーションをターゲットとしたお客様の特定のアプリケーションに合わせてカスタマイズされたMOSFETSおよびIGBTの広範なポートフォリオを提供しています。STのポートフォリオには、ハードおよびソフト・スイッチド・トポロジ用の高電圧スーパージャンクションMOSFETとトレンチゲート・フィールドストップIGBT、ならびに電力変換およびBLDCモータ駆動用の低電圧トレンチベースMOSFETがあります。STの最新の1200V SiC MOSFETは、非常に低いRDS(on)領域(最低変動対温度)を備えた業界で最も高温の200°Cのジャンクション定格温度と、より効率的で小型のSMPS設計のための卓越したスイッチング性能を組み合わせています。MシリーズIGBTは、モータ制御を対象としており、堅牢な短絡定格に加えてVCE(SAT)とE(off)の最適化されたトレードオフがあります。STのあらゆるパワー設計向けMOSFETおよびIGBTの総合的な品揃えをご覧ください。

STripFET™ F7パワーMOSFET

STMicroelectronics  STripFET F7 MOSFETは、設計の簡素化、および備品サイズとコスト削減を目的とした、より高速かつより効率的なスイッチングを備えた拡張トレンチゲート構造が特徴です。内部静電容量およびゲート電荷も削減し、低スイッチング損失と組み合わせた低オン状態抵抗です。同期整流に理想的であり、最低EMIに最適なキャパシタンスCrss/Ciss比率があります。STripFET F7は、高アバランシェ耐久性が特徴です。
詳細