ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

STP45N60DM6

Name: STMicroelectronics STP45N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP45N60DM6
Price: 1121 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STP45N60DM6

メーカ番号：

STP45N60DM6

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag

あなたの設計を完成させましょう

データシート:

STP45N60DM6 データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

STMicroelectronics STP45N60DM6の詳細を読む

在庫: 1,008

在庫：: 1,008 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 14 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥1,121.6	¥1,122
	¥828.8	¥8,288
	¥670.4	¥67,040
	¥596.8	¥298,400
	¥528	¥528,000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	600 V
Id - 連続ドレイン電流:	30 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	99 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.25 V
Qg - ゲート電荷:	44 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	210 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	7.3 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	5.3 ns
シリーズ:	STP45N60DM6
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	50 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns
単位重量:	2 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

STP45N60DM6 データシート (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DM6 Nチャンネル・パワーMOSFET

STMicroelectronics DM6 Nチャンネル・パワーMOSFETは、MDmesh™ DM6高速リカバリ・ダイオードの一部です。この車載グレードNチャンネル・パワーMOSFETには、低R_DS(on)と組み合わされた非常に低い回復電荷（Q_rr）、回復時間（t_rr）が備わっています。DM6パワーMOSFETは、低ゲート電荷、低入力容量、低オン抵抗、高dV/dt耐久性、ツェナー保護が特徴です。このパワーMOSFETは、最も要求の厳しい高効率性コンバータに最適であり、ブリッジトポロジとZVS位相シフトコンバータに理想的です。